nano nor flash 文章 進(jìn)入nano nor flash技術(shù)社區(qū)
AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求
- AI推論快速成長,QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND,QLC具備更高存儲密度與更低成本,適合以讀取為主的AI推論工作負(fù)載。 法人分析,臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠,有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測,2025年QLC NAND產(chǎn)能將達(dá)250.48億Gb,占NAND總產(chǎn)能的22.2%,滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負(fù)責(zé)分析以及處理大量數(shù)據(jù),而這類應(yīng)用訪問模式以讀取為主,寫入頻率相對較低,正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現(xiàn)無縫兼容,此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分滿足市場對于先進(jìn)嵌入式存儲解決方案日益增長的需求,成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
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NAND Flash市況 有望6月復(fù)蘇
- NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期,NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn),下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年,甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出,2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌,但供應(yīng)商已開始堅(jiān)守價格,避免市場陷入低迷行情。他強(qiáng)調(diào),供應(yīng)商根據(jù)市場狀況自然調(diào)節(jié)供給,是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一,2025年NAND Flash位元供給,估計(jì)將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設(shè)備實(shí)施管制,也將延緩中國大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張步伐。盡管中國大陸部分
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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出,NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產(chǎn),Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動相關(guān)計(jì)劃,可能長期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示,NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達(dá)成減產(chǎn)目的,背后受以下因素驅(qū)動:第一,需求疲軟
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黃仁勛秀手掌大小「生成式AI超級計(jì)算機(jī)」專為機(jī)器人設(shè)計(jì)
- 人工智能應(yīng)用日益擴(kuò)展,英偉達(dá)(NVIDIA)近期再推出新產(chǎn)品,超小型生成式AI開發(fā)者套件「Jetson Orin Nano Super」,具備強(qiáng)大性能且價格親民,僅249美元(不到2000元),專為機(jī)器人設(shè)計(jì),不僅降低AI硬件的門坎,還促進(jìn)了生成式 AI 與機(jī)器人技術(shù)的廣泛應(yīng)用。英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛2020年在宣傳「全世界最大的GPU」時,選在自家廚房從烤箱中把A100繪圖芯片拿出來展示。此次黃仁勛重現(xiàn)經(jīng)典場面,從烤箱拿出僅有手掌大小的「Jetson Orin Nano Super」,還自嘲說可能烤太久、都
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Ceva-NeuPro-Nano榮獲亞洲金選獎年度產(chǎn)品獎
- ●? ?Ceva-NeuPro-Nano?獲得年度最佳IP/處理器產(chǎn)品獎,延續(xù)公司智能邊緣IP的領(lǐng)先地位●? ?Ceva-NeuPro-Nano NPU在小空間內(nèi)提供超低功耗和高性能的優(yōu)化平衡,可在消費(fèi)、工業(yè)和通用AIoT產(chǎn)品中高效執(zhí)行嵌入式AI工作負(fù)載。幫助智能邊緣設(shè)備更可靠、更高效地連接、感知和推斷數(shù)據(jù)的全球領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)品和軟件IP授權(quán)許可廠商Ceva公司近日宣布Ceva-NeuPro-Nano NPU在近期于中國臺北舉辦的著名亞洲金選獎(EE Awards A
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3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業(yè)級SSD需求強(qiáng)勁,消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達(dá)176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化,企業(yè)級SSD需求強(qiáng)勁,推升價格季增近15%,消費(fèi)級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫存策略,訂單大量減少,第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響,合約價反
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兆易創(chuàng)新GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認(rèn)證證書
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash獲得由國際公認(rèn)的測試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認(rèn)證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash在嚴(yán)苛汽車應(yīng)用場景中的卓越安全性能和可靠性,也進(jìn)一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著汽車電子電氣組件數(shù)量的指數(shù)級增長,其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權(quán)威汽車功能
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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于Server(服務(wù)器)終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲,但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠商庫存偏高,導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達(dá)167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài),并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場表現(xiàn)不佳,
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TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
- IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出,由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高,導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達(dá) 167.96 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應(yīng)客戶對
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里?
- 第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn),意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu),實(shí)現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發(fā)的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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1000層3D NAND Flash時代即將到來
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù),為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊,鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉,鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件,和現(xiàn)行產(chǎn)品相比,存儲容量提高約50%,寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
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三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)
- 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級”存儲器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲支持。最新消息是,KAIST的研究
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nano nor flash介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nano nor flash的理解,并與今后在此搜索nano nor flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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